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上海保迪增浩有限公司碳化硅MOSFET業務部

上海SiC碳化硅MOSFET,上海國產SiC碳化硅MOSFET模塊,華東SiC碳化硅MOSFET,蘇州Si...

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基本半導體第二代SiC碳化硅MOSFET在光伏逆變器中的應用

組串式逆變器是基于模塊化概念基礎上的,每個光伏組串通過一個逆變器,多塊電池板組成一個組串,接入小功率單相逆變器在直流端具有最大功率峰值跟蹤,在交流端并聯并網,已成為現在全球市場上最流行的逆變器。拓撲結構采用DC-DC-BOOST升壓(MPPT)和DC-AC全橋逆變兩級電力電子器件變換,防護等級一般為IP65。體積較小,可室外壁掛式安裝。
組串光伏逆變器有多路MPPT,每路MPPT器件選型為B2M035120YP*1(電流能力更大,支持更高功率的光伏電池板接入),或者B2M040120Z*1+碳化硅肖特基二極管B2D30120HC1,B3D30120HC,B2D30120H1,B3D30120H.
(1)MPPT選擇基本半導體SiC碳化硅功率器件方案的邏輯:
   組串式逆變器早期舊方案中的開關管需要用兩顆40A/1200V IGBT并聯或者75A/1200V IGBT,升壓二極管是1200V 60A Si FRD,開關管的開關頻率只有16kHz~18kHz
   而新方案選用基本半導體第二代SiC碳化硅MOSFET開關頻率為40kHz,且單路MPPT不用并聯開關器件,同時大幅度減小了磁性元件的體積和成本,并且SiC MOSFET的殼溫低于100℃,提升了系統可靠性。
   系統廠商評估過采用基本半導體第... [詳細介紹]
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