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無(wú)錫科微半導(dǎo)體有限司

無(wú)錫科微IGBT、、晶閘管，日立能源IGBT、GTO、IGCT等，上海瞻芯SiC分立器件等

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供應(yīng)IV2Q12017T4Z
IV2Q12017T4Z – 1200V 17mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET特性·第二代碳化硅MOSFET技術(shù)與+18V門驅(qū)動(dòng)·高阻塞電壓與低電阻·高速 		2024-09-02
供應(yīng)IV2Q12080T4Z
IV2Q12080T4Z – 1200V 80mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET特性·第二代碳化硅MOSFET技術(shù)與+15V+18V門驅(qū)動(dòng)器·高阻塞電壓與低電阻 		2024-09-02
供應(yīng)IV3Q12013T4Z
IV3Q12013T4Z- Gen3 1200V 13.5mΩ Automotive SiC MOSFET特性·第三代碳化硅MOSFET技術(shù)與+15+18V門驅(qū)動(dòng)·高阻塞電壓低電阻·高 		2024-09-02
供應(yīng)IV1Q12080T4Z
IV1Q12080T4Z – 1200V 80mΩ SiC MOSFET特點(diǎn)· 高壓、低導(dǎo)通電阻· 高速、寄生電容小·高工作結(jié)溫· 快速恢復(fù)體二極管· 開爾文 		2024-09-02
二 IV2Q12017T4Z
IV2Q12017T4Z – 1200V 17mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET特性·第二代碳化硅MOSFET技術(shù)與+18V門驅(qū)動(dòng)·高阻塞電壓與低電阻·高速 		2024-09-02
二 IV2Q12080T4Z
IV2Q12080T4Z – 1200V 80mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET特性·第二代碳化硅MOSFET技術(shù)與+15V+18V門驅(qū)動(dòng)器·高阻塞電壓與低電阻 		2024-09-02
二 IV3Q12013T4Z
IV3Q12013T4Z- Gen3 1200V 13.5mΩ Automotive SiC MOSFET特性·第三代碳化硅MOSFET技術(shù)與+15+18V門驅(qū)動(dòng)·高阻塞電壓低電阻·高 		2024-09-02
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