多晶硅清洗機(jī) - 簡述

能源問題正日益成為世界性問題，我國在太陽能光伏產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù)已于世界水平，而用于太陽能的主要材料——多晶硅，它的清洗潔凈程度直接影響到太陽能電池的成品率和性能。用超聲波清洗的目的主要是清除多晶硅表面的沾污，如微粒，有機(jī)物，無機(jī)金屬離子、氧化層等雜質(zhì)。多晶硅表面吸附雜質(zhì)的主要原因是，多晶硅表面原子垂直向上的化學(xué)鍵被破壞成為懸空鍵，在多晶硅表面形成自由力場，極易吸附各種雜質(zhì)。這些雜質(zhì)和多晶硅之間迅速形成化學(xué)吸附，難以去除。在生產(chǎn)多晶硅的生產(chǎn)工藝過程中，其中的一個重要環(huán)節(jié)，是采用超聲波清洗應(yīng)用技術(shù)。

多晶硅清洗機(jī) - 產(chǎn)品結(jié)構(gòu)

 多晶硅超聲波清洗要結(jié)構(gòu)特點(diǎn)： 

1、采用三套獨(dú)立的電腦控制機(jī)械臂自動化作業(yè) 

2、采用第三代技術(shù)，全面完善的防酸防腐措施，保護(hù)到機(jī)器每一個角落 

3、全自動補(bǔ)液技術(shù) 

4、獨(dú)特的硅片干燥前處理技術(shù)，保證硅片干燥不留任何水痕 

5、成熟的硅片干燥工藝，多種先進(jìn)技術(shù)集于一身 

6、彩色大屏幕人機(jī)界面操作，方便參數(shù)設(shè)置多工藝方式轉(zhuǎn)換

多晶硅清洗機(jī) - 產(chǎn)品特點(diǎn)

 多晶硅超聲波清洗機(jī)具有以下特點(diǎn)： 

1、械手或多機(jī)械手組合，實(shí)現(xiàn)工位工藝要求。 

2、PLC全程序控制與觸摸屏操作界面，操作便利。 

3、自動上下料臺，準(zhǔn)確上卸工件。 

4、凈化烘干槽，獨(dú)特的烘干前處理技術(shù)，工作干燥無水漬。 

5、全封閉外殼與抽風(fēng)系統(tǒng)，確保良好工作環(huán)境。 

6、具備拋動清洗功能，保證清洗均勻。 

7、全封閉清洗均勻。 

8、全封閉外殼與抽風(fēng)系統(tǒng)，確保良好工作環(huán)境。

多晶硅清洗機(jī) - 工藝流程

 　　自動上料→去離子水+超聲波清洗+振動篩拋動→堿液+超聲波清洗+拋動→去離子水+超聲波清洗+拋動→堿液+超聲波清洗+拋動→堿液+超聲波清洗+拋動→去離子水+超聲波清洗+拋動+溢流→去離子水+超聲波清洗+拋動+溢流→自動下料

多晶硅清洗機(jī) - 應(yīng)用范圍

多晶硅超聲波清洗加工設(shè)備，可廣泛用于IC生產(chǎn)及半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)中晶片的濕法化學(xué)工藝。該設(shè)備可有效去除晶片表面的有機(jī)物、顆粒、金屬雜質(zhì)、自然氧化層及石英、塑料等附件器皿的污染物，且不破壞晶片表面特性。 

爐前（RCA）清洗：擴(kuò)散前清洗 

光刻后清洗：除去光刻膠。 

氧化前自動清洗：氧化前去掉硅片表面所胡的沾污物。 

拋光后自動清洗：除去切、磨、拋的沾污。 

外延前清洗：除去埋層擴(kuò)散后的SiO2及表面污物。 

合金前、表面鈍化前清洗：除去鋁布線后，表面雜質(zhì)及光膠殘渣。 

離子注入后的清洗：除去光刻膠，SiO2層。 

擴(kuò)散預(yù)淀積后清洗：除去預(yù)淀積時的BSG和PSG。 

CVD后清洗：除去CVD過程中的顆粒。 

附件及工具的清洗：除去表面所有的沾污物。

多晶硅清洗機(jī) - 產(chǎn)品類型

 VGT-15204FST