NANOTRAC WAVE II納米粒度及zeta電位儀采用先進(jìn)的“Y”型光纖探針光路設(shè)計(jì)，配置膜電極產(chǎn)生微電場(chǎng)，操作簡(jiǎn)單，測(cè)量迅速，無需精確定位由于電泳和電滲等效應(yīng)導(dǎo)致的靜止層，無需外加大功率電場(chǎng)，無需更換分別用于測(cè)量粒度和Zeta電位的樣品池，完全消除由于空間位阻（不同光學(xué)元器件間的傳輸損失，比色皿器壁的折射和污染，比色皿位置的差異，分散介質(zhì)的影響，顆粒間多重散射等）帶來的光學(xué)信號(hào)的損失，結(jié)果準(zhǔn)確可靠，重現(xiàn)性好。

納米粒度測(cè)量——先進(jìn)的動(dòng)態(tài)光背散射技術(shù)

Zeta電位測(cè)量：Microtrac MRB以其在激光衍射/散射技術(shù)和顆粒表征方面的獨(dú)到見解，經(jīng)過多年的市場(chǎng)調(diào)研和潛心研究，開發(fā)出新一代NANOTRAC WAVE II微電場(chǎng)分析技術(shù)，融納米顆粒粒度分布與Zeta電位測(cè)量于一體，無需傳統(tǒng)的比色皿，一次進(jìn)樣即可得到準(zhǔn)確的粒度分布和Zeta電位分析數(shù)據(jù)。與傳統(tǒng)的Zeta電位分析技術(shù)相比，NANOTRAC WAVE II采用先進(jìn)的“Y”型光纖探針光路設(shè)計(jì)，配置膜電極產(chǎn)生微電場(chǎng)，操作簡(jiǎn)單，測(cè)量迅速，無需精確定位由于電泳和電滲等效應(yīng)導(dǎo)致的靜止層，無需外加大功率電場(chǎng)，無需更換分別用于測(cè)量粒度和Zeta電位的樣品池，完全消除由于空間位阻（不同光學(xué)元器件間的傳輸損失，比色皿器壁的折射和污染，比色皿位置的差異，分散介質(zhì)的影響，顆粒間多重散射等）帶來的光學(xué)信號(hào)的損失，結(jié)果準(zhǔn)確可靠，重現(xiàn)性好。

NANOTRAC WAVE II納米粒度及zeta電位儀測(cè)量原理：

粒度測(cè)量：動(dòng)態(tài)光背散射技術(shù)和全量程米氏理論處理

Zeta電位測(cè)量：膜電極設(shè)計(jì)與“Y”型探頭形成微電場(chǎng)測(cè)量電泳遷移率

分子量測(cè)量：水力直徑或德拜曲線

光學(xué)系統(tǒng)：

3mW780nm半導(dǎo)體固定位置激光器，通過梯度步進(jìn)光纖直接照射樣品，在固定位置用硅光二極管接受背散射光信號(hào)，無需校正光路。

軟件系統(tǒng)：

先進(jìn)的FLEX軟件提供強(qiáng)大的數(shù)據(jù)處理能力，包括圖形，數(shù)據(jù)輸出/輸入，個(gè)性化輸出報(bào)告，及各種文字處理功能，如PDF格式輸出, Internet共享數(shù)據(jù)，Microsoft Access格式（OLE）等。體積，數(shù)量，面積及光強(qiáng)分布，包括積分/微分百分比和其他分析統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)的完整性符合21 CFR PART 11安全要求，包括口令保護(hù)，電子簽名和授權(quán)等。

外部環(huán)境：

電源要求：90-240VAC，5A，50/60Hz

環(huán)境要求：溫度，10-35°C

國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)：符合ISO13321，ISO13099-2:2012 和 ISO22412:2008