設(shè)備簡述
IGBT 高壓反偏試驗(yàn)是在一定溫度條件（125℃）下，按照規(guī)定的時(shí)間和電壓，
對 IGBT 施加反偏電壓，從而對器件進(jìn)行質(zhì)量檢驗(yàn)和耐久性評估的一種主要試驗(yàn)
方法。是專為 IGBT 模塊進(jìn)行高溫反偏試驗(yàn)而進(jìn)行設(shè)計(jì),是 IGBT 出廠檢測的重要
設(shè)備。該試驗(yàn)臺可對相應(yīng)的 IGBT 器件進(jìn)行適配器匹配，同時(shí)對 48 只器件進(jìn)行試
驗(yàn)。測試標(biāo)準(zhǔn)符合 MIL-STD-750，IEC 60747。本設(shè)備采用計(jì)算機(jī)自動控制系統(tǒng)，
后臺軟件實(shí)時(shí)監(jiān)控、自動處理目標(biāo)數(shù)據(jù)，具有測試精度高、操作方便、高效等優(yōu)
點(diǎn)。電氣系統(tǒng)額定參數(shù)
A．輸入電壓：380V AC；
B. 輸出電壓：0-5000V DC；
C. 輸出電流：2.5A(Max)；
D. 工作相抵濕度：空氣濕度 < 50%（高壓設(shè)備嚴(yán)格要求）；
E. 環(huán)境溫度：0-50℃。 測試技術(shù)參數(shù)
1）每個(gè)工位電流：輸出范圍 0-40mA，過流保護(hù)值 40Ma,
2）輸出電壓：200-4700V，分辨率 10V,精度±2%±10V，（空-滿載調(diào)整率
<2%）,100-200V, 分辨率 10V,精度±5%±10V，（空-滿載調(diào)整率<2%）。試驗(yàn)電
壓可設(shè)定保護(hù)值，保護(hù)動作時(shí)切斷主電路，并帶有聲光報(bào)警。
3）工位輸出電流：每個(gè)工位分為高低檔，低檔：0.1-15ma，分辨率 0.1ma，精
度±2%±0.1ma；高檔：15-40ma，分辨率 0.1ma，精度±5%±0.5ma；漏電流采
集模塊內(nèi)三只單管的并聯(lián)值。漏電流可設(shè)定保護(hù)值，保護(hù)動作時(shí)切斷相應(yīng)工位主
電路，并帶有聲光報(bào)警。
4）工位對 IGBT 封裝的兼容性：本設(shè)備適用器件尺寸 190×140mm，夾具適配器
調(diào)整后可兼容 130×140mm 尺寸。
每個(gè)工位有卡槽固定 IGBT 基板位置，氣缸控制適配器，氣動下壓；模塊基板采
用氣動壓接方式固定在加熱體表面；本試驗(yàn)臺另配氣泵等附件。 規(guī)格
尺 寸：1800×650×500（mm）
質(zhì) 量：175kg
測試工位：20 工位
工位轉(zhuǎn)換：自動切換
耐溫范圍：-50oC～140oC